台積公司表示浸潤式曝光顯影技術不久後可邁入量產

台積公司今（22）日表示，該公司浸潤式曝光顯影技術所產出的測試晶片，已相當符合量產所要求的參數標準。台積公司將在本月23日於美國加州聖荷西所舉行的 SPIE Microlithography研討會中發表上述成果，同時報告透過台積公司專有的技術，浸潤式曝光顯影已經達到幾乎零缺陷密度的目標。

台積公司微製像技術發展處資深處長，同時也是全球公認的浸潤式曝光顯影技術專家林本堅博士表示，「零缺陷密度一直是我們努力的目標。最近，台積公司使用浸潤式曝光顯影技術成功產出多批測試晶片，單片晶片上的晶片缺陷非常少，最低的僅有3個。此一結果超越目前世界上其他已發表的產出結果，也與使用乾式曝光顯影機台最好的產出結果相當。我們已經相當瞭解浸潤式曝光顯影中晶片缺陷形成的機制，將可更進一步集中資源提升量產時機台的生產效率（throughput）。」

曝光顯影機台是半導體製造的核心機台，其構造如同照相機，然而其體積龐大，造價係以數百萬美金計算。浸潤式曝光顯影技術突破了目前這個世代(193奈米) 曝光顯影機台的限制，使其能夠繼續用於製造更先進技術的晶片。這一點，是半導體製程技術邁入更先進世代的一個相當重要的關鍵，因為其他曝光顯影技術距離是否能夠量產仍有相當大的不確定性。

浸潤式曝光顯影技術係使用水或類似的清澈液體當作成像的介質。在曝光機台的鏡頭與晶圓片間加入水作為介質，能夠得到更高解析度的光源，以便製造面積更小、密度更高的元件。

使用液體介質不免會產生一些挑戰，例如氣泡、水印、微粒子掉入、由微粒子掉入引起成像缺陷或光阻液殘留等狀況。這些挑戰，透過台積公司研發的專有技術，已經獲得解決。測試結果顯示，許多十二吋晶片上的晶片缺陷數目少於7個，缺陷密度為每平方公分0.014；更有些晶片上的晶片缺陷數目僅有3個，缺陷密度為每平方公分0.006。然而，利用浸潤式掃描原型機台但未使用台積公司專有技術所產出的晶片，其晶片缺陷數目高達數十萬個。此外，目前已發表的報告中，浸潤式曝光顯影技術產出晶片中最少的晶片缺陷數目仍有兩位數。相較之下，台積公司的成果令人刮目相看。

台積公司計劃於45奈米製程採用浸潤式曝光顯影技術。

關於台積公司

台積公司（TSMC）是全球最大的專業積體電路製造服務公司，提供業界卓越的製程技術、元件資料庫、設計參考流程及其他先進的晶圓製造服務。台積公司目前擁有兩座最先進的十二吋晶圓廠(晶圓十二廠及晶圓十四廠)、五座八吋晶圓廠(晶圓三、五、六、七及八廠)，以及一座六吋晶圓廠(晶圓二廠)。此外，台積公司亦有來自其轉投資子公司美國WaferTech公司、台積電(上海有限公司)以及新加坡合資SSMC公司充沛的產能支援。台積公司係第一個使用65奈米製程技術為客戶成功試產晶片的專業積體電路服務公司。進一步資訊請至台積公司網站http://www.tsmc.com.tw查詢。