台積公司28奈米SRAM良率突破

主要製程發展成果證明採用gate-last方法的製造效益

台積公司今(24)日宣佈率業界之先,不但達成28奈米64Mb SRAM試產良率,而且分別在28奈米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化矽(簡稱28LP)等28奈米全系列製程驗證均完成相同的良率。

台積公司研究發展副總經理孫元成博士表示:「所有三種28奈米系列製程皆已由64Mb SRAM晶片完成良率驗證,是一項傲人的成就。更值得一提的是,此項成果亦展現我們兩項高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)製程採用gate-last方法而獲得的製造效益」。

台積公司先進技術事業資深副總經理劉德音博士表示:「這項突破突顯出台積公司28奈米製程的能力與價值。我們不僅有能力延伸傳統慣用的氮氧化矽(Silicon Oxynitride)材料至28奈米世代,也能夠同時推出28奈米的高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)材料的製程」。

台積公司28奈米製程的開發與導入量產計劃,完全符合2008年九月所宣佈的技術藍圖在進行。28LP製程預計於2010年第一季底進行試產,接著28HP製程於第二季底試產,28HPL則於第三季試產。

28LP製程具備可快速上市以及低成本的特性,特別適用於手機與各式行動應用。28HP製程則適用於中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、晶片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、網路、遊戲主機與行動計算等高效能導向之應用。至於28HPL製程則強調低耗電、低漏電與中高效能的特性,可用以支援諸如手機、精巧型隨身易網機(smart netbook)、無線通訊與可攜式消費性電子等低漏電導向之應用。

台積公司28奈米製程均擁有完備的設計架構,奠基於台積公司的開放創新平台(Open Innovation Platform™),延伸出多強而有力的技術生產各式不同的產品。

關於台積公司
台積公司是全球最大的專業積體電路製造服務公司,提供業界卓越的製程技術、以及業界最完備並且通過製程驗證的元件資料庫、矽智材、設計工具以及設計參考流程。民國九十七年所管理的總產能超過900萬片約當八吋晶圓,包括來自兩座最先進的十二吋超大型晶圓廠(晶圓十二及十四廠)、四座八吋晶圓廠(晶圓三、五、六及八廠)、一座六吋晶圓廠(晶圓二廠),以及來自轉投資子公司美國WaferTech公司、台積電(中國)有限公司以及新加坡合資SSMC公司充沛的產能支援。台積公司係第一個推出40奈米製程的專業積體電路製造服務公司。進一步資訊請至公司網站http://www.tsmc.com.tw查詢。