台積公司將低耗電高介電層/金屬閘製程納入28奈米技術藍圖
預計於2010年第三季進行試產
台積公司今(24)日宣佈已將低耗電製程納入28奈米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)製程的技術藍圖，預計於2010年第三季進行試產(Risk Production)。
台積公司自2008年九月發表28奈米技術以來，技術的發展與進入量產的時程皆按預期計劃進行。就試產時程順序而言，低耗電氮氧化矽(簡稱28LP)製程預計於2010年第一季底進行試產，高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)製程則預計於2010年第二季底開始試產，而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)製程的試產時程將繼前兩者之後推出，於2010年第三季進行試產。
台積公司採用gate-last方法的28HPL製程是台積公司28奈米高效能HKMG製程的延伸，強調低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能。至於28HPL製程則適用於行動電話、精巧型隨身易網機(smart netbook)、無線通訊、可攜式消費性電子等多種的低耗電應用。
28HPL製程有完備的元件支援，適用於通用型市場應用的系統單晶片(SoC)平台，與28LP製程在特色上各有所強。28LP因延伸自氮氧化矽(SiON)製程，因而成本更低、且有利於快速上市，尤其適用於手機與手持裝置的應用。
此外，台積公司於2008年九月宣佈之28HP製程亦採用gate-last 方法，適合中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、晶片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、遊戲主機與行動計算等高效能導向的應用。
台積公司研究發展副總經理孫元成博士表示：「在技術發展的過程中，我們採用gate-last的方式來發展28HPL相關技術，就其在電晶體特性、利於高階與低階應用及可製造性等方面，均有優異的表現」。
台積公司先進技術事業資深副總經理劉德音博士表示：「在HKMG製程中的低耗電應用上，我們已與客戶共同發展了一段時間。將28HPL納入28奈米製程系列，再加上28LP與28HP兩項製程，代表台積公司目前提供給業界的是最全面的28奈米製程組合」。
為了將28奈米製程的功效在全系列各式不同客戶產品中充分發揮，台積公司已與客戶和設計夥伴密切合作，在我們的開放創新平台(Open Innovation Platform™，OIP)上提供完備的設計架構。開放創新平台係由台積公司主導，並開放給客戶與夥伴參與。
關於台積公司
台積公司是全球最大的專業積體電路製造服務公司，提供業界卓越的製程技術、以及業界最完備並且通過製程驗證的元件資料庫、矽智材、設計工具以及設計參考流程。民國九十七年所管理的總產能超過900萬片約當八吋晶圓，包括來自兩座最先進的十二吋超大型晶圓廠(晶圓十二及十四廠)、四座八吋晶圓廠(晶圓三、五、六及八廠)、一座六吋晶圓廠(晶圓二廠)，以及來自轉投資子公司美國WaferTech公司、台積電(中國)有限公司以及新加坡合資SSMC公司充沛的產能支援。台積公司係第一個推出40奈米製程的專業積體電路製造服務公司。進一步資訊請至公司網站http://www.tsmc.com.tw查詢。
