台積公司將28奈米製程定位為全世代製程

台灣積體電路製造股份有限公司今（29）宣佈，將28奈米製程定位為全世代(Full Node)製程，同時提供客戶高介電層/金屬閘（High-k Metal Gate，HKMG）及氮氧化矽（Silicon Oxynitride，SiON）材料兩種選擇，以支援不同產品的應用及效能需求。此一28奈米製程預計於民國九十九年第一季開始生產。

台積公司28奈米系列製程同時具備了高介電層/金屬閘以及氮氧化矽閘電晶體兩種選擇的彈性製造能力，而28奈米製程將是此一系列中的全世代製程。目前有多個客戶正使用台積公司28奈米製程進行產品設計，藉由與客戶密切的協同合作，可以讓客戶選用最佳化的電晶體材料，以達到速度、耗電與成本考量的目標。

台積公司全球業務暨行銷副總經理陳俊聖表示：「產品差異化、加快產品上市時程以及最佳投資效益，是台積公司提供給客戶最重要的三個價值。有鑑於此，我們正在開發一個全備的28奈米製程系列，來滿足客戶不同產品應用及效能的需求。」

以氮氧化矽為基礎的28奈米低耗電高效能製程-28LPT (Low Power/High Performance)製程，是此一製程系列中總功耗最低及具備成本效益的選擇，與40奈米低耗電製程(40LP)相較，其閘密度預計可增為2倍，速度可增加最多達50%或功耗減少30%至50%。28LPT製程預計於民國九十九年初即可開始生產，可應用於行動基頻、應用處理器、無線網路與可攜式消費性電子產品等。

由於無線和行動消費性產品日新月異，為了協助客戶搶得市場先機，台積公司遂決定在成功的氮氧化矽材料基礎上開發28 LPT製程。過去幾年，消費者的需求是低漏電且電池壽命長久的可攜式電子產品，而今消費者對無線通訊設備的需求，除了傳統的通話和簡訊發送功能之外，更希望其具備上網、視訊串流（Video Streaming）、音樂、行動電視、衛星導航等功能。目前，在電池壽命方面，消費者更關心的是操作功耗的多寡，而氮氧化矽材料的閘電容量較低，操作功耗較一般高介電層/金屬閘要小，為受到電力限制的產品提供較低的總功耗優勢、更佳的成本效益及更低的風險。

台積公司先進技術事業資深副總經理劉德音表示：「我們的客戶期待一個高效能、低操作功耗與具有成本效益的技術，可針對他們的市場需要來開發各種可攜式消費產品。」

至於28奈米高效能製程（High Performance，28HP）則是台積公司第一個使用高介電層/金屬閘的製程，將著重於中央處理器、繪圖處理器及可程式邏輯閘陣列（FPGAs）等高效能的產品應用，預計於民國九十九年上半年度開始生產。此外，與40奈米泛用型製程(40G)相較，在類似的電力密度下，28HP製程的閘密度增為2倍，速度則高出30%以上。而在28奈米世代之後的更新世代製程，高介電層/金屬閘材料將具有明顯的優勢。

台積公司的28奈米製程目前提供α版的設計套件支援，預計於今年底開始推出快速且頻繁的晶圓共乘服務(CyberShuttle™)予客戶進行產品試製。

台積公司目前正與客戶及設計生態系統合作夥伴密切合作，於近來揭示的開放創新平台（Open Innovation Platform™）上建構一完善的28奈米製程設計基礎，目標在於協助客戶使用此一製程系列發展眾多不同產品的差異化。開放創新平台係由台積公司提供客戶及合作夥伴實踐創新的最佳平台。

關於台積公司

台積公司是全球最大的專業積體電路製造服務公司，提供業界卓越的製程技術、以及業界最完備並且通過製程驗證的元件資料庫、矽智材、設計工具以及設計參考流程。民國九十七年所管理的總產能超過900萬片約當八吋晶圓，包括來自兩座最先進的十二吋超大型晶圓廠(晶圓十二及十四廠)、四座八吋晶圓廠(晶圓三、五、六及八廠)、一座六吋晶圓廠(晶圓二廠)，以及來自轉投資子公司美國WaferTech公司、台積電(上海)有限公司以及新加坡合資SSMC公司充沛的產能支援。台積公司係第一個推出40奈米製程的專業積體電路製造服務公司。進一步資訊請至公司網站http://www.tsmc.com.tw查詢。