台積公司於國際電子元件大會 (IEDM )發表論文:率先成功試產出32奈米靜態隨機存取記憶體測試晶片且通過功能驗證

台積公司今（11）日於美國華盛頓特區(Washington D.C.)舉行的國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting，IEDM)中發表論文，宣佈開發出專業積體電路製造服務領域第一個同時支援類比及數位積體電路的32奈米製程技術。此篇論文中同時指出，台積公司已經成功試產出電晶體位元單元(bit cell)尺寸最小的2Mb 32奈米靜態隨機存取記憶體(SRAM)，並且通過功能驗證。

台積公司此一最先進的32奈米製程將提供低耗電量及高密度記憶體最佳化的競爭優勢，並具備多種記憶體元件尺寸供客戶選擇，充分滿足客戶在產品性能及效率最佳化的考量。此一低耗電量製程具備低待機耗電量電晶體、類比及射頻功能、銅導線以及低介電係數(low-k)材料導線等優勢，非常適合用於生產可攜式產品所需的系統單晶片。針對客戶多樣不同的市場應用需求，台積公司未來將提供多樣全備的32奈米製程，包括數位、類比、射頻以及高密度記憶體等製程。

特別值得一提的是，台積公司32奈米製程是第一個無須採用高介電係數(high-k)材料及金屬閘極(metal gate)，就可以達到設定的電晶體效能規格。另外，此一尺寸僅0.15平方微米的高密度SRAM是採用193奈米浸潤式(immersion lithography)雙重曝影 (double patterning) 所達成。

台積公司研究暨發展副總經理孫元成表示，「台積公司一直致力於先進技術的開發，此次領先成功開發出32奈米製程技術，又再締造一個新的里程碑。同時，這也是台積公司不斷投資先進技術研發，而能夠協助客戶將最先進的產品率先上市的又一例證。」