第一屆「台積電傑出學生研究獎」得獎名單出爐
台灣積體電路製造股份有限公司於今(三)日上午假新竹科學園區舉行第一屆「台積電傑出學生研究獎」頒獎典禮,由總經理暨總執行長蔡力行博士親自頒獎給九名得獎者,獎勵獲獎同學們在半導體領域相關研究上的傑出表現。
今年首度舉辦的「台積電傑出學生研究獎」分成元件應用類、元件與製程類、材料特性與分析類共三大類獎項,不僅歡迎同學就工程面、應用面的研究提出申請,更鼓勵對基礎理論面的創新和研究。評選過程採取初審及決選二階段,參賽同學需就研究目的、意義、研究對科技貢獻的深度和廣度等面向,以英文書面清楚說明,並經台積公司評審委員會針對創意、技術深度、技術與邏輯有效性、正確性、扼要性等項目進行評核。進入決選之同學,還需配合參加英文簡報及英文提問。
雖然整體參選過程極具挑戰性,但仍獲得相當熱烈的迴響。自今年三月起至五月底止為期三個月期間內,共收到來自全國各大學研究所學生近百件的研究案,經過評審委員們的審慎評核之後,其中有來自台灣大學、成功大學、清華大學、交通大學、宜蘭大學、國防大學、淡江大學等校學生共二十二篇研究案進入決選,決選過程中,委員們多以雙向的討論方式代替單向的提問,並視狀況給予延伸性的研究建議,充分反映出委員們提攜後進的熱忱與用心,最後從中評選出各類組之前三名。
各類組前三名得獎者可分別獲得新台幣十二萬元、十萬元及八萬元之獎勵金及獎牌一座。此外,各類組第一名的同學更可額外申請新台幣七萬元之贊助參與國外學術研討會議經費。第一屆「台積電傑出學生研究獎」得獎名單如下:
元件應用類(Device Application):
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名次 |
姓名 |
研究題目 |
學校 |
指導教授 |
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1 |
梁哲夫 |
A 14-band Frequency Synthesizer for MB-OFDM UWB Application |
台大 電機所 |
劉深淵 |
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2 |
廖之帆 |
A 10Gb/s CMOS AGC Amplifier with 35dB Dynamic Range for 10Gb Ethernet |
台大 電機所 |
劉深淵 |
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3 |
金俊德 |
Low-Loss On-Chip Semi-Coaxial Interconnects for Silicon-Based Monolithic Microwave Integrated Circuits |
清大 電子所 |
徐碩鴻 |
元件與製程類(Device and Process):
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名次 |
姓名 |
研究題目 |
學校 |
指導教授 |
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1 |
劉明豪 |
Datta-Das transistor: Significance of channel direction, size dependence of source contacts, and boundary effects |
台大 物理所 |
張慶瑞 |
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2 |
詹前泰 |
Reliability Study of High-k Gate Dielectric MOSFETs: From Single Charge Emission Measurement to PBTI |
交大 電子所 |
汪大暉 |
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3 |
黃誌峰 |
Metal Gate Technology for Sub-45 nm CMOS Devices |
交大 電子所 |
崔秉鉞 |
材料特性與分析類(Material Analysis):
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名次 |
姓名 |
研究題目 |
學校 |
指導教授 |
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1 |
林夏玉 |
Giant enhancement of band gap emission due to defect loss |
台大 物理所 |
陳永芳 |
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2 |
林文欽 |
Controlled Growth and Magnetism of self-assembled Co and Fe nanpparticle assembly on single-crystalline manostructured template Al2O3/NiA(100) |
台大 物理所 |
林敏聰 |
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3 |
陳柏榮 |
3-D TOF-SIMS mapping of metal ion doped quantum dots immobilized on self-assembled monolayer system |
清大 化學所 |
凌永健 |