台積公司與美商飛思卡爾公司共同開發絕緣層上覆矽(SOI)技術

台灣積體電路製造股份有限公司今（12）日宣佈已和美商飛思卡爾半導體公司(Freescale Semiconductor)簽訂合約，雙方將共同發展新一代的絕緣層上覆矽(silicon-on-insulator, SOI)高效能晶片前段技術，並以開發65奈米的互補金氧半導體(CMOS)製程技術為目標。在這項合約中，同時包含了飛思卡爾公司將其90奈米絕緣層上覆矽技術授權予台積公司用於製造產品。

台積公司研究與發展副總經理楊平表示，飛思卡爾公司在絕緣層上覆矽技術有寶貴的經驗和專業，而在專業積體電路製造服務領域，台積公司在包括絕緣層上覆矽技術等先進製程發展上也佔有領導地位；結合雙方的長處，將使共同開發的絕緣層上覆矽技術更具競爭優勢。

飛思卡爾公司技術長Dr. Claudine Simson表示，該公司為客戶提供高效能絕緣層上覆矽產品已有四年的時間。此外，台積公司長期以來一直是飛思卡爾公司在專業積體電路製造服務上的優良供應商，同時，台積公司亦與飛思卡爾，飛利浦及意法半導體在法國Grenoble附近的Crolles結盟合作發展製程技術，因此，飛思卡爾公司與台積公司長期以來維持十分良好的夥伴關係，並期待能與台積公司共同開發65奈米絕緣層上覆矽高效能晶片技術。

台積公司和飛思卡爾公司個別單獨投入絕緣層上覆矽技術的發展，均已有數年的時間。飛思卡爾公司自1980年代中期起迄今已成功開發出三代的絕緣層上覆矽技術，並於2001年開始生產絕緣層上覆矽產品，相關產品出貨量已超過700萬顆，目前更在美國德州奧斯汀的Dan Noble Center建立90奈米互補金氧半導體製程絕緣層上覆矽技術的平台，以生產新一代的高效能網路傳輸與運算產品。台積公司則自1990年代後期起從0.13微米製程開始自行開發絕緣層上覆矽技術，並在絕緣層上覆矽元件及靜態隨機存取記憶體(SRAM)電路元的開發上有卓越的成果。

透過此項合作計畫的推動，雙方將共同開發65奈米絕緣層上覆矽製程的前段技術，將可加速相關產品的上市時程，並拓展此技術在不同市場的創新應用。同時，雙方將各自針對其客戶不同的應用，發展相關後段金屬化的製造技術。其中，台積公司將以其設於台灣的十二吋晶圓廠為其客戶提供製造服務，用以生產強調快速及高效能的網路傳輸與運算等相關產品。此外，台積公司也將開發低耗電的製程，以提供行動式應用產品更多的選擇。飛思卡爾公司則計劃將此項技術移轉到該公司與飛利浦及意法半導體所合作的法國Crolles2 研發及試產基地。

關於SOI（絕緣層上覆矽）技術

絕緣層上覆矽(SOI)製程技術，可使晶片運作的速度比單純的只採用傳統的互補金氧半導體基體（bulk CMOS）更快，尤其適合應用於更高速度以及兼具省電要求的產品。此外，這項技術亦適用於低耗電的產品應用。

絕緣層上覆矽技術是標準互補金氧半導體製程的強化，以矽為基板覆以絕緣層，以隔開活躍的電晶體元素。絕緣層上覆矽技術降低了矽基板與電子元件之間的電容量，可降低電力的消耗，同時提高了數位電路的速度。絕緣層上覆矽技術可幫助所有射頻積體電路產品更能有效地隔絕信號干擾，並減少基板造成的信號流失。飛思卡爾公司是業界提供絕緣層上覆矽技術並能量產的先驅公司。

台積公司與飛思卡爾公司的65奈米絕緣層上覆矽技術高效能晶片合作發展計畫，將會在飛思卡爾公司位於美國德州奧斯汀的Dan Noble Center中進行，該中心一直是飛思卡爾公司開發及生產絕緣層上覆矽產品的主要基地。